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PHP6ND50E-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**PHP6ND50E-VB** 是一款高电压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为高压应用设计。其漏源电压可达600V,适合在高电压环境下进行开关和控制。最大漏电流为8A,能够满足大部分工业和电力电子应用的需求。该MOSFET的导通电阻在不同栅源电压下表现出色,分别为1070mΩ(在VGS=4.5V时)和780mΩ(在VGS=10V时),确保其在高负载条件下的能效和热管理。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**:PHP6ND50E-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **VDS(漏源电压)**:600V
- **VGS(栅源电压)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:8A
- **技术**:Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块

1. **电力转换**:PHP6ND50E-VB广泛应用于高压电源转换和开关电源(SMPS)中,凭借其高漏源电压,能够有效支持各种高电压应用。

2. **电动机驱动**:在电动机控制系统中,该MOSFET能够承受高电压,适用于高功率电动机的驱动和控制,如工业电动机和电动车辆。

3. **逆变器**:由于其高达600V的漏源电压,PHP6ND50E-VB非常适合在逆变器中使用,如太阳能逆变器和其他高电压电力转换器,支持高效的能量转换。

4. **LED驱动**:在高功率LED驱动应用中,该MOSFET可用于稳定的电流控制,适合工业照明和商业照明系统。

5. **电池管理系统**:在电池管理和充电系统中,PHP6ND50E-VB能够实现高效的开关和电流控制,特别是在电动车辆和储能设备中,帮助提高电池的安全性和效率。

凭借其卓越的性能和多样的应用领域,PHP6ND50E-VB在现代电力电子设备中扮演着重要角色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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