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P5NK50Z-VB 产品详细

产品简介:

P5NK50Z-VB 产品简介

P5NK50Z-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压应用而设计。其最大漏极源极电压(VDS)可达 600V,适合于多种高压电源和开关应用。这款 MOSFET 的最大漏极电流(ID)为 8A,能够满足中等功率需求。具有较高的阈值电压(Vth)为 3.5V,确保在相对较低的栅源电压下能够有效导通。导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 1070mΩ,而在 VGS=10V 时为 780mΩ,这使得其在高电压应用中依然保持良好的导通性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: P5NK50Z-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: 600V
- **最大栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS = 4.5V
- 780mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 8A
- **技术**: Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **高压电源转换**: P5NK50Z-VB 非常适合用于开关电源(SMPS),其 600V 的耐压能力使其能够有效处理高压输入,从而提供稳定的输出,满足高效电源转换的需求。

2. **逆变器应用**: 在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,P5NK50Z-VB 可作为主要的功率开关,处理高电压和中等电流,提高整个系统的效率和可靠性。

3. **电机驱动**: 在电动机控制系统中,该 MOSFET 可以用作驱动开关,尤其适用于高压直流电机,提供精确的控制并确保高效性能。

4. **照明控制**: P5NK50Z-VB 适用于高压 LED 照明系统,能够有效调节 LED 的工作状态,提升照明效率,降低能耗。

5. **消费电子电源管理**: 该 MOSFET 可以广泛应用于家用电器和其他高压消费电子产品中,确保在高压条件下安全、稳定地运行。

P5NK50Z-VB 的高压特性和稳定性能使其成为多个应用领域的理想选择,能够满足对效率和可靠性的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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