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P5506BVG-VB 产品详细

产品简介:

P5506BVG-VB 产品简介

P5506BVG-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为中等电压和电流应用设计。其最大漏极源极电压(VDS)为 60V,适合于多种电源管理和开关应用。该 MOSFET 的最大漏极电流(ID)为 7.6A,能够满足较高负载需求。它的阈值电压(Vth)为 1.7V,使其在较低的栅源电压下即可迅速导通。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻(RDS(ON))为 35mΩ,而在 VGS=10V 时为 25mΩ,这使其在处理高电流时具有较低的功耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A 25mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **型号**: P5506BVG-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 25mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 7.6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **电源管理**: P5506BVG-VB 非常适合用于开关电源(SMPS),其优良的导通特性使其能够高效转换电能,适合各种高效电源设计。

2. **LED 驱动**: 该 MOSFET 适用于 LED 照明应用,可以有效调节 LED 的亮度,同时降低功耗,提升系统的热效率。

3. **电动机控制**: 在电动机驱动电路中,P5506BVG-VB 可用作高效开关元件,特别适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机,提供精确的控制和快速响应。

4. **消费电子**: 该 MOSFET 可广泛应用于消费电子产品的电源管理,如智能手机、平板电脑等,以确保设备在高效能和低功耗的状态下运行。

5. **电池管理系统**: P5506BVG-VB 适用于电池管理系统中的功率开关,能够确保充电和放电过程的安全与效率,特别是在电动汽车和储能设备中。

P5506BVG-VB 的高效性能和可靠性使其成为多个应用领域中的理想选择,能够满足对电源管理和开关性能的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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