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P3710AV-VB 产品详细

产品简介:

P3710AV-VB MOSFET 产品简介

P3710AV-VB 是一款采用 SOP8 封装的单 N 通道功率 MOSFET,专为高压应用设计。其漏源电压(VDS)可达到 100V,能够承受最高 9A 的漏极电流(ID)。该 MOSFET 的导通电阻在 VGS=10V 时为 32mΩ,在 VGS=4.5V 时为 33mΩ,确保了在各种工作条件下的低功耗和高效能。P3710AV-VB 采用先进的沟槽技术(Trench),使其在高功率密度应用中表现出色,适合多种电子设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A 32mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
P3710AV-VB 详细参数说明

| 参数 | 数值 | 说明 |
|------------|------------------------|-------------------------------|
| 封装 | SOP8 | 小型表面贴装封装 |
| 配置 | 单 N 通道 | 仅含一个 N 通道 MOSFET |
| 漏源电压 (VDS) | 100V | 最大可承受的漏-源电压 |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V | 最大栅-源电压范围 |
| 阈值电压 (Vth) | 1.8V | 导通所需的栅-源电压 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 32mΩ @ VGS=10V
33mΩ @ VGS=4.5V | 漏极电流导通的内部电阻 |
| 漏极电流 (ID) | 9A | 在规定条件下的最大电流 |
| 技术类型 | 沟槽 (Trench) | 提供高功率密度和低导通电阻 |

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **电源管理**:P3710AV-VB 可广泛应用于开关电源和 DC-DC 转换器中,特别是在高压环境下。其低导通电阻有助于降低转换损耗,提高电源效率,适合于工业电源和计算机电源系统。

2. **电动机驱动**:在电动机控制应用中,该 MOSFET 适用于 H 桥电路,用于控制电动机的转动方向和速度。由于其高电压和高电流承载能力,P3710AV-VB 是电动工具和电动车辆驱动系统的理想选择。

3. **LED 驱动**:P3710AV-VB 可用于 LED 照明和其他照明系统中的开关电路,提供快速和高效的电流控制。其出色的导通电阻和热管理特性能够确保高亮度和长寿命的 LED 照明。

4. **电池管理系统(BMS)**:在电池管理系统中,该 MOSFET 可用作充电和放电的控制开关,确保高效的电池充放电过程。其高耐压能力和良好的热特性使其在电动车辆和便携式电子设备中具有广泛应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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