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P16NM50N-VB 产品详细

产品简介:

P16NM50N-VB 产品简介

P16NM50N-VB是一款高压N通道MOSFET,采用TO220封装,具有优异的性能和可靠性。其最大漏源电压为650V,适合在高电压应用中使用,能够承受高达20A的漏电流。凭借其160mΩ的低导通电阻,P16NM50N-VB在开关操作中表现出色,有效降低了功耗和发热,适用于各种电力电子设备和控制系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**:P16NM50N-VB
- **封装类型**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V
- **漏电流 (ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **电源转换器**:P16NM50N-VB可广泛应用于开关电源和DC-DC转换器中,其高压承受能力和低导通电阻提高了能效和可靠性,减少了能量损失。

2. **逆变器**:在光伏逆变器和风能逆变器中,P16NM50N-VB能够有效地将直流电转换为交流电,支持高电压操作,适应不同的能源管理需求。

3. **电机控制**:该MOSFET适合用于电机驱动和控制系统,能够处理高电流和快速开关,实现精确控制和高效驱动。

4. **工业设备**:在各种工业应用中,如焊接设备和电源模块,P16NM50N-VB可以作为开关元件,确保设备的高效运行和安全性。

5. **消费电子**:该MOSFET也可以用于高压电池充电器和其他消费电子产品,提供稳定的电流和电压,满足高效能的需求。

P16NM50N-VB凭借其卓越的电气性能和广泛的应用场景,是设计高效、可靠电子设备的重要组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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