P12NM50-VB - VBsemi MOS管制造商

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P12NM50-VB是一款高压单N通道MOSFET，采用TO220封装，能够承受高达650V的电压。其SJ_Multi-EPI技术提供优越的导电性能，使其在要求严格的高电压和中等电流应用中表现出色，适合各种电源管理和开关控制应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A			220mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 220mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

应用领域和模块
P12NM50-VB广泛应用于以下领域：

1. **电源适配器**: 在高压开关电源中用作主开关，确保高效能和可靠性，特别适用于AC-DC转换器。
2. **工业设备**: 用于电机驱动控制，提供稳定的电流输出，适合各类电机应用。
3. **逆变器**: 在可再生能源系统（如太阳能和风能）中，作为逆变器的核心元件，确保高效能的能量转换。
4. **高压电路**: 用于电力电子设备中的高压开关应用，确保系统的安全和性能。

凭借其卓越的性能，P12NM50-VB是高电压应用中的理想选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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