P0903BK-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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P0903BK是一款高效能的N-Channel MOSFET，采用DFN8(5x6)封装，专为低电压和高电流应用设计。它具有30V的漏源电压（VDS）和超低导通电阻，适合各种电源管理和开关应用。该MOSFET在电流密度和热管理方面表现优异，是现代电子设备中高效能解决方案的理想选择。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A			3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

详细参数说明
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域与模块
P0903BK广泛应用于电源管理、DC-DC变换器、逆变器和电动汽车等领域。其超低导通电阻和高电流承载能力，使其在开关电源中能够实现高效能和低能耗。在电动汽车的电机驱动系统中，该MOSFET可以有效控制电流，优化电能利用率。此外，DFN8封装设计有助于散热，使P0903BK适合高功率应用，满足现代设备对高效、可靠的要求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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