P0804BT-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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P0804BT-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO220封装，专为中高电压应用设计。其额定VDS为40V，结合较低的导通电阻和高达110A的漏电流能力，能够在多种电源管理和开关应用中提供稳定的性能，适合高效能的电力转换需求。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A			6mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明
- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **VDS**：40V
- **VGS**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 7mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**：110A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

应用领域与模块
P0804BT-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和电机驱动等领域。其高电流承载能力使其在高效能开关电源中表现优异，能够有效降低能量损耗，提高整体系统效率。在消费电子、工业自动化和可再生能源系统中，该MOSFET提供可靠的功率控制，确保设备的稳定运行。此外，其良好的热管理特性使其适用于高温环境，满足各类应用的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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