产品简介：
产品简介
NVMFD027N10MCL-VB是一款高效的双N通道MOSFET，采用DFN8(5x6)-B封装，专为高电压应用设计。其低导通电阻和出色的热性能使其在电源管理和功率转换领域表现卓越，确保系统的高效能和稳定性。
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6)-B |
Dual-N+N |
100V |
|
1.8V |
30A |
|
|
18mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6)-B |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6)-B |
Dual-N+N |
100V |
|
1.8V |
30A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6)-B |
Dual-N+N |
100V |
|
1.8V |
30A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(5X6)-B |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
|
|
详细参数说明
- **封装**: DFN8(5x6)-B
- **配置**: 双N通道
- **VDS**: 100V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench技术
领域和模块应用：
应用领域和模块
NVMFD027N10MCL-VB广泛应用于高效DC-DC转换器、开关电源和电动汽车驱动电路。它在工业自动化、可再生能源系统及高性能电子设备中发挥重要作用，能够有效管理电源流向，提升整体系统的效率和可靠性。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面-B.png)
