NTTFS4800NTAG-VB - VBsemi MOS管制造商

NTTFS4800NTAG-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

NTTFS4800NTAG-VB 产品简介
NTTFS4800NTAG-VB是一款高效的单N通道MOSFET，采用DFN8(3x3)封装，具有卓越的导通性能和低RDS(ON)。该器件的最大漏极电压为30V，适用于各种高效能电源管理和开关应用，提供出色的热性能和电流处理能力。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	30A			13mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	30A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	30A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

详细参数说明
- **封装**：DFN8(3x3)
- **配置**：单N通道
- **VDS**：30V
- **VGS**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 19mΩ @ VGS=4.5V
- 13mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

应用领域与模块
NTTFS4800NTAG-VB广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器及电机驱动模块。它适合用于智能手机充电器、高效电源适配器和LED驱动器等设备，能够提升整体系统效率和降低热量生成。在电力电子、自动化和消费电子等领域中，提供可靠的开关性能和长期稳定性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

NTTFS4800NTAG-VB 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

QQ咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶