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NTP90N02G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
NTP90N02G-VB是一款高效的N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为低电压和大电流应用设计。其30V的漏源电压和极低的导通电阻使其在电源管理和负载开关等领域中表现出色。该器件不仅具备高电流承载能力,还具备良好的散热性能,适用于各种高效能电子设备的需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明
- **封装**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **VDS**:30V
- **VGS**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **RDS(ON)**:
- 4mΩ(@VGS=4.5V)
- 3mΩ(@VGS=10V)
- **ID**:120A
- **技术**:Trench技术

领域和模块应用:

应用领域和模块
NTP90N02G-VB广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、开关电源及电动机控制等多个领域。由于其低RDS(ON)和高电流处理能力,该MOSFET特别适合用于高效能电源系统和大功率设备,显著降低能量损耗。此外,它在消费电子产品、工业自动化设备和电动汽车驱动系统中也表现优异,能够在高负载和高效率条件下确保系统的稳定性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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