NTP85N03RG-VB - VBsemi MOS管制造商

NTP85N03RG-VB 产品详细

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NTP85N03RG-VB 是一款高效能的单N通道MOSFET，采用TO220封装，专为低电压和高电流应用设计。其最大漏源电压为30V，栅源电压可达±20V，阈值电压为1.7V。这款器件在4.5V的栅源电压下，导通电阻仅为4mΩ，在10V时更低至3mΩ，能够在高电流下提供卓越的导电性能，非常适合用于电源管理和开关应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A			3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **封装**：TO220
- **配置**：单N通道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- @ VGS=4.5V：4mΩ
- @ VGS=10V：3mΩ
- **最大漏电流 (ID)**：120A
- **技术**：Trench技术

领域和模块应用：

应用领域与模块示例

NTP85N03RG-VB广泛应用于电源管理、开关电源和电动驱动等领域。在高效电源转换器和直流-直流转换器中，该MOSFET能有效降低能量损失，确保系统高效运行。

在电动汽车和电动工具的驱动系统中，NTP85N03RG-VB能够提供强大的电流承载能力，确保电机在负载条件下的快速响应和稳定性。此外，该器件在可再生能源领域（如太阳能逆变器）中，也能提供高效的电力管理解决方案。这款MOSFET因其优异的性能，成为现代电子设计中不可或缺的重要组件。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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