NTP5860NLG-VB - VBsemi MOS管制造商

NTP5860NLG-VB 产品详细

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NTP5860NLG-VB 产品简介

NTP5860NLG-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET，采用TO220封装，专为高电压和大电流应用而设计。其具有60V的耐压能力和高达270A的最大漏极电流，使其在电源管理和驱动电路中表现出色。结合极低的导通电阻（2.5mΩ@4.5V和2.1mΩ@10V），该MOSFET 能够在高效率和低热量生成的条件下，满足现代电子设备的需求。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	60V		3V	270A			2.1mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	60V		3V	270A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	60V		3V	270A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **型号**: NTP5860NLG-VB
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N通道MOSFET
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 2.1mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 270A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块示例

1. **高效开关电源**
NTP5860NLG-VB 在开关电源设计中可作为主开关元件，支持高效率的电能转换，适合大功率应用，确保系统运行稳定并降低能耗。

2. **电动汽车驱动系统**
在电动汽车的驱动电路中，此MOSFET 提供强大的电流支持，适用于电机控制和能量回收系统，帮助实现高效的动力管理和更长的续航里程。

3. **工业电源管理**
该器件在工业设备中可用于电源管理系统，支持高电流需求的负载，提升设备的可靠性和效率，广泛应用于自动化设备和重型机械。

4. **数据中心和服务器电源**
NTP5860NLG-VB 适用于数据中心的电源模块，能够处理高负载情况，优化能耗，确保服务器的稳定运行。

5. **LED照明驱动**
该MOSFET 也可用于LED驱动电路，作为高效开关控制LED亮度，实现精确的电流控制，提高LED的使用效率和寿命。

NTP5860NLG-VB

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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