NTP52N10-VB - VBsemi MOS管制造商

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NTP52N10是一款高性能单N通道MOSFET，封装为TO220，专为中高功率应用设计。其最大漏源电压为100V，结合Trench技术，提供出色的导通性能和极低的导通电阻，适合高效能电源管理和控制系统。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	100V		1.8V	70A			17mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	100V		1.8V	70A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	100V		1.8V	70A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压（VDS）**: 100V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 17mΩ@VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**: 70A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块
NTP52N10广泛应用于电源转换器、开关电源和电动机驱动模块。其高电流承载能力使其特别适合用于DC-DC转换器和高频开关应用。此外，因其低RDS(ON)，在电机驱动和自动化控制系统中能够降低能量损耗，提升整体效率。此外，该MOSFET还可应用于LED驱动和电池管理系统，确保稳定的电流输出和优异的热管理。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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