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NTMS4917NR2G-VB 产品详细

产品简介:

NTMS4917NR2G-VB 产品简介

NTMS4917NR2G-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为中等电流和低压应用设计。其最大漏源电压(VDS)为 30V,栅源电压(VGS)可达 ±20V,确保在各种应用环境中的稳定性和可靠性。该器件的阈值电压(Vth)为 1.7V,适合低电压驱动。导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 4.5V 时为 11mΩ,在 VGS 为 10V 时为 8mΩ,提供了卓越的导电性能和低发热量,最大漏电流(ID)为 13A,使其能够高效处理较大的电流负载。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **型号**: NTMS4917NR2G-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **电源管理**:
- NTMS4917NR2G-VB 适用于 DC-DC 转换器和电源适配器中,能够实现高效的电流管理,提高能量转换效率,尤其在移动设备和便携式电子产品中至关重要。

2. **负载开关**:
- 该 MOSFET 可作为负载开关,广泛应用于消费电子产品,确保设备在不同工作状态下的可靠性,适合智能手机、平板电脑等。

3. **LED 驱动**:
- NTMS4917NR2G-VB 适合用于 LED 照明控制,通过提供稳定的电流输出,确保 LED 照明系统的亮度一致性和长寿命,广泛应用于商业和家庭照明。

4. **电机驱动**:
- 在电动工具和家用电器中,该器件可用于小型电机的驱动,提供高效的电源管理,确保电机的稳定和可靠运行。

5. **汽车电子**:
- 在汽车电子应用中,该 MOSFET 可用于电源开关和信号控制,确保高效的电流传输和系统的稳定性,适应各种严苛环境。

通过以上应用领域,NTMS4917NR2G-VB 展现出其在电源管理、负载开关、LED 控制等多个领域的广泛适用性和优异性能,成为一款可靠的单 N 通道 MOSFET。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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