NTMS4107NR2G-VB - VBsemi MOS管制造商

NTMS4107NR2G-VB 产品详细

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产品简介：

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NTMS4107NR2G-VB 是一款高效能单N通道MOSFET，采用SOP8封装，专为低电压高电流应用设计。其漏源电压为30V，能够在高达±20V的栅源电压下稳定工作。凭借其超低导通电阻（5mΩ @ VGS=4.5V 和 4mΩ @ VGS=10V），该器件在电源管理和开关应用中表现出色，适合各种要求高效能和高可靠性的电子设备。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	18A			4mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	18A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	18A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-N

详细参数说明

- **封装**：SOP8
- **配置**：单N通道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- @ VGS=4.5V：5mΩ
- @ VGS=10V：4mΩ
- **最大漏电流 (ID)**：18A
- **技术**：Trench技术

领域和模块应用：

应用领域与模块示例

NTMS4107NR2G-VB 广泛应用于电源管理和转换器设计，尤其在便携式设备、消费电子和电动工具中表现出色。在移动设备中，它可用于电池供电系统，确保高效能和延长电池使用寿命。此外，该器件适用于DC-DC转换器和开关电源，能够实现高效能的电源转换，降低系统的能耗。

在汽车电子和工业控制系统中，NTMS4107NR2G-VB 也发挥着重要作用，能够在高电流应用中提供可靠的性能与安全保障，尤其是在电机驱动和电源分配模块中，确保高效稳定的电力供应。总之，该MOSFET因其卓越的电气性能，成为现代电子设计中不可或缺的元件。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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