NTLJD3115PT1G-VB - VBsemi MOS管制造商

NTLJD3115PT1G-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介
NTLJD3115PT1G-VB是一款双P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN6(2x2)-B封装，专为低电压功率管理和负载开关应用设计。该器件提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，具有出色的热性能，适用于需要高效切换和高功率密度的场景。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN6(2X2)-B	Dual-P+P	-30V		-1.7V	-5.4A			38mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN6(2X2)-B	Dual-P+P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN6(2X2)-B	Dual-P+P	-30V		-1.7V	-5.4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN6(2X2)-B	Dual-P+P	-30V		-1.7V	-5.4A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN6(2X2)-B	Dual-P+P

详细参数说明
- **封装**：DFN6(2x2)-B
- **配置**：Dual-P+P-Channel
- **最大漏源电压（VDS）**：-30V
- **栅源电压（VGS）**：±12V
- **阈值电压（Vth）**：-1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 60mΩ @ VGS=4.5V
- 38mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**：-5.4A
- **技术**：Trench技术

领域和模块应用：

应用领域和模块
NTLJD3115PT1G-VB MOSFET适用于各种低压功率管理领域，尤其是在便携式电子设备、电池供电的移动设备和电源管理系统中表现出色。由于其双P沟道配置，它非常适合用于高侧负载开关、DC-DC转换器以及LED驱动器中。在消费电子和智能家居设备中，该器件可用于电源分配、功率放大器和充电电路。此外，NTLJD3115PT1G-VB还适用于汽车电子和工业自动化设备中的功率管理模块，能够提供可靠的性能和高效能的操作。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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