产品简介：
产品简介
NTJD3158CT2G-VB是一款高效能的双N+P通道MOSFET，采用紧凑的SC70-6封装，专为低电压和低功耗应用而设计。该器件具有优良的导通性能和低导通电阻，能够在高频率下工作，适合广泛的电源管理和开关应用，确保系统效率和可靠性。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
110/190mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
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详细参数说明
- **型号**：NTJD3158CT2G-VB
- **封装**：SC70-6
- **配置**：双N+P通道
- **漏极-源极电压（VDS）**：±20V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：
- N通道：1.0V
- P通道：-1.2V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- N通道：110mΩ @ VGS=2.5V；90mΩ @ VGS=4.5V
- P通道：190mΩ @ VGS=2.5V；155mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏极电流（ID）**：
- N通道：3.28A
- P通道：-2.8A
- **技术**：Trench技术
领域和模块应用：
适用领域和模块
NTJD3158CT2G-VB广泛应用于各种领域，包括便携式设备、DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统。其低导通电阻使其在移动设备中能够有效减少功耗，延长电池寿命。同时，该器件也适用于消费电子和汽车电子系统，能够在高效能和高稳定性之间取得良好的平衡，满足现代电源设计的要求。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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