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NTJD2152PT1G-VB 产品详细

产品简介:

NTJD2152PT1G-VB 产品简介

NTJD2152PT1G-VB 是一款高性能的双 P 通道 MOSFET,采用紧凑的 SC70-6 封装,专为低电压和中等电流的应用设计。其最大漏源电压(VDS)为 -20V,能够在多种开关和驱动应用中实现高效能。该器件的阈值电压(Vth)为 -0.6V,适合低电压驱动,同时保证了在不同工作条件下的可靠性。导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 2.5V 时为 235mΩ,在 VGS 为 4.5V 时为 155mΩ,确保了优异的导电性能和低热量生成。最大连续漏电流(ID)为 -1.8A,使其在各种电源管理和控制场合中具备良好的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A 235mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-6 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-6 Dual-P+P
详细参数说明

- **型号**: NTJD2152PT1G-VB
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 双 P 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 235mΩ @ VGS = 2.5V
- 155mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大连续漏电流 (ID)**: -1.8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **电源管理**:
- NTJD2152PT1G-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器和电源适配器,以其低导通电阻实现高效能,适合各种紧凑型电源设计,能够提高电源的整体效率并减少热量产生。

2. **负载开关**:
- 在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品中,该 MOSFET 可作为负载开关使用,提供可靠的电流控制,确保产品在不同负载条件下的稳定运行。

3. **LED 驱动**:
- 该器件能够有效驱动 LED 照明系统,提供稳定的电流输出,确保 LED 的亮度一致性和长寿命,广泛应用于室内和户外照明领域。

4. **电池管理**:
- 在电池管理系统中,NTJD2152PT1G-VB 可用于控制电池的充放电过程,确保电池在安全和高效的状态下工作,适用于智能手机、笔记本电脑和其他便携设备。

5. **汽车电子**:
- 该 MOSFET 可用于汽车电源管理模块,提供可靠的电流控制,适应严苛的环境条件,确保汽车电子系统在各类行驶条件下的稳定性能。

通过以上应用示例,NTJD2152PT1G-VB 展现出其在多种领域中的广泛适用性和优良性能,是一款值得推荐的双 P 通道 MOSFET。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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