NTHS4101PT1G-VB - VBsemi MOS管制造商

NTHS4101PT1G-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介

**NTHS4101PT1G-VB** 是一款高效的单P沟道MOSFET，采用DFN8(3X2)-B封装，专为中低电压应用设计。该器件具有出色的导通性能和较低的导通电阻，非常适合用于电源管理和开关应用。NTHS4101PT1G-VB的最大漏源电压为-30V，最大连续漏电流为-5.1A，确保其在多种工作条件下的高效性和可靠性。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-30V		-1.5V	-5.1A			30mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-30V		-1.5V	-5.1A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-30V		-1.5V	-5.1A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X2)-B	Single-P

详细参数说明

- **型号**: NTHS4101PT1G-VB
- **封装**: DFN8(3X2)-B
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: -5.1A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用：

适用领域和模块示例

1. **电源管理**: NTHS4101PT1G-VB广泛应用于DC-DC转换器和电源模块，能够显著提高能量转换效率，适用于便携式电子设备和电源适配器。

2. **电动机控制**: 该MOSFET适合用于小型电动机驱动，能够提供稳定的电流控制，广泛应用于家用电器和玩具。

3. **汽车电子**: 在汽车应用中，NTHS4101PT1G-VB可用于电池管理系统和电动助力转向，确保系统在各种工作条件下的可靠性和效率。

4. **LED照明**: 由于其低导通电阻，该器件适合用于LED驱动电路，提高照明系统的效率，广泛应用于室内和户外照明解决方案。

5. **通信设备**: NTHS4101PT1G-VB在无线通信设备中可用于功率开关和电源管理，确保设备在高负载条件下的稳定运行。

凭借其卓越的性能，NTHS4101PT1G-VB在现代电子设计中成为重要的组成部分，适用于多种应用场景。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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