NP90N04MUG-S18-AY-VB - VBsemi MOS管制造商

NP90N04MUG-S18-AY-VB 产品详细

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产品简介：

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NP90N04MUG-S18-AY-VB是一款高性能单N通道MOSFET，采用TO220封装，专为中等电压和高电流应用设计。该器件的漏源电压（VDS）为40V，结合其低导通电阻，能够在要求高效率和低功耗的电路中表现优异，适合高负载和高频环境。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A			6mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N通道
- **漏源电压（VDS）**：40V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 7mΩ @ VGS = 4.5V
- 6mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流（ID）**：110A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

适用领域和模块
NP90N04MUG-S18-AY-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电动机驱动及逆变器等多个领域。其低导通电阻特性使其在高频开关电源中表现卓越，有效提高能效并减少热量生成。此外，该MOSFET在消费电子、汽车电子和工业控制模块中也有广泛应用，以确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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