产品简介：
产品简介
NP40N055MLE-S18-AY-VB是一款高效能的单N通道MOSFET，采用TO220封装，设计用于高电压和高电流应用。其VDS可达60V，具有优良的导通电阻，适合在需要低功耗和高效率的电路中使用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
60A |
|
|
11mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
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详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N通道
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流（ID）**：60A
- **技术**：Trench
领域和模块应用：
适用领域和模块
该MOSFET适用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器及电动机驱动等应用领域。其低导通电阻使其在高频开关电源中表现优异，能够有效提高能效并降低热损耗。同时，广泛应用于消费电子、汽车电子和工业控制等模块中，以实现高效能和可靠性。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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