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NCE75H21-VB 产品详细

产品简介:

一、NCE75H21-VB 产品简介
NCE75H21-VB 是一款高性能 **单 N 沟道 MOSFET**,采用 **TO220 封装**,专为高电流和高效能应用设计。该器件具有 **80V** 的漏源电压 (VDS),支持 **±20V 的栅源电压 (VGS)**,阈值电压 (Vth) 为 **3V**,适合各种电源和负载控制场景。NCE75H21-VB 在 VGS = 10V 时的 **导通电阻 (RDS(ON))** 仅为 **3mΩ**,在 VGS = 4.5V 时为 **3.6mΩ**,表现出极低的导通损耗,最大连续漏极电流 (ID) 达到 **195A**。该 MOSFET 基于 **Trench 技术**,不仅提高了开关速度,还优化了热性能,确保在高负载条件下的可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、NCE75H21-VB 详细参数说明
| **参数** | **描述** | **数值** |
|---------------------|--------------------------|------------------------|
| **封装类型** | TO220 | 适合高功率应用,散热性能优良 |
| **配置** | 单 N 沟道 MOSFET | 单通道开关控制 |
| **漏源电压 (VDS)** | 最大耐压能力 | 80V |
| **栅源电压 (VGS)** | 栅极驱动电压范围 | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 栅极开启电压 | 3V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | VGS = 10V 时的导通电阻 | 3mΩ |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | VGS = 4.5V 时的导通电阻 | 3.6mΩ |
| **连续漏极电流 (ID)** | 最大承载电流 | 195A |
| **技术类型** | Trench 技术 | 提高开关效率与热性能 |
| **工作温度范围** | -55°C ~ +150°C | 宽温度范围 |

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领域和模块应用:

三、应用领域及典型模块示例

1. **开关电源 (SMPS)**
- NCE75H21-VB 适用于开关电源设计中,作为高效开关元件使用。其极低的导通电阻有助于降低功耗,提升电源转换效率,尤其在 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器中表现优异。

2. **电动汽车驱动系统**
- 在电动汽车的驱动系统中,该 MOSFET 可用于电机控制和电池管理,支持高电流和高电压应用,提升电动汽车的能效和续航能力,适合用于电动助力转向和动力总成控制。

3. **电源管理 IC (PMIC)**
- NCE75H21-VB 可用作电源管理集成电路中的开关元件,负责电源的开关控制和分配,为各种电子设备提供稳定的电力供应,同时提高系统的整体能效。

4. **LED 照明驱动**
- 该器件适用于高效 LED 照明驱动电路,能够精准控制 LED 照明的亮度和电流,确保高效、稳定的光输出,适合用于商业和住宅照明领域。

5. **工业控制与自动化**
- 在工业自动化领域,NCE75H21-VB 可用于电机驱动和伺服控制等高电流应用,满足工业设备对高效能和稳定性的需求,广泛应用于机器人、输送系统等工业设备中。

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NCE75H21-VB 以其 **高压、低导通损耗和高电流承载能力**,成为 **开关电源、电动汽车、电源管理 IC、LED 照明驱动** 和 **工业控制** 等领域的理想选择。其 **TO220 封装** 提供良好的散热性能,确保在高功率应用中稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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