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NCE55P30-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
NCE55P30-VB是一款高性能的单P通道MOSFET,采用**TO220封装**,专为负载开关和电源管理应用设计。其最大漏源电压(VDS)为-60V,栅源电压(VGS)可承受±20V。该MOSFET具有低导通电阻(RDS(ON)),在10V栅源电压下可达19mΩ,能够有效降低能量损耗,并支持高达-50A的漏电流,适合需要高效率和可靠性的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -50A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
详细参数说明
- **型号**:NCE55P30-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单P通道
- **漏源电压(VDS)**:-60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS = 4.5V
- 19mΩ @ VGS = 10V
- **漏电流(ID)**:-50A
- **技术**:Trench

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领域和模块应用:

应用领域和模块
1. **电源管理**
NCE55P30-VB常用于电源管理模块中,特别是在反向电流保护和电源开关应用中,通过低导通损耗提高整体能效,确保系统稳定运行。

2. **电池管理系统**
该MOSFET适用于电池充放电控制,能够有效管理电池的充电和放电过程,确保电动汽车及便携式设备的安全和高效运作。

3. **DC-DC转换器**
在DC-DC转换器中,NCE55P30-VB可作为开关元件,提高转换效率,广泛应用于智能手机、平板电脑等电子产品中。

4. **电动机控制**
NCE55P30-VB在电动机控制应用中,提供高效的电流控制,适用于直流电动机和步进电动机驱动电路,广泛应用于工业设备和家用电器中。

5. **LED照明**
该MOSFET也可用于LED驱动电路,提供稳定的电流控制,以实现高效和可靠的LED照明解决方案,适合商业和家庭照明应用。

通过以上应用,NCE55P30-VB展现出其在多种领域和模块中的广泛适用性,是现代电子设计中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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