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NCE40ND0812S-VB 产品详细

产品简介:

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NCE40ND0812S-VB 是一款高效能单N通道MOSFET,采用SOP8封装,专为高电压应用设计,额定VDS为40V。这款MOSFET采用先进的Trench技术,具有低导通电阻和高效能,适用于要求高可靠性和高效率的电子设备。它的优越性能使其成为多种电源管理解决方案的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 40V 1.8V 10A 14mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 40V 1.8V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 40V 1.8V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明
- **型号**: NCE40ND0812S-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 16mΩ @ VGS = 4.5V
- 14mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块
NCE40ND0812S-VB广泛应用于多个领域,包括但不限于:

1. **电源管理**: 在DC-DC转换器和开关电源中,它的低导通电阻可以有效降低功耗,提高系统效率。
2. **电动机控制**: 适用于电动机驱动电路,能够承受较高的漏电流,确保稳定运行。
3. **消费电子**: 在各种电子设备中,如智能手机和平板电脑的充电模块,提供高效的功率转换。
4. **LED驱动**: 在LED照明系统中,能够提供高效的电流控制,延长LED的使用寿命。
5. **电池管理系统**: 适合用于电池保护和管理电路,提高电池的整体性能和安全性。

这款MOSFET的多功能性使其在现代电子设计中成为不可或缺的组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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