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NCE30P15SA-VB 产品详细

产品简介:

NCE30P15SA-VB 产品简介

NCE30P15SA-VB 是一款高性能的单P沟道功率MOSFET,采用SOP8封装,专为低压应用和高电流设计而开发。该器件具有最大漏源电压(VDS)为-30V,支持±20V的栅源电压(VGS),并具备阈值电压(Vth)为-2.5V,确保快速导通。NCE30P15SA-VB的导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为15mΩ,在VGS为10V时降低至11mΩ,能够支持高达-13.5A的连续漏电流(ID)。凭借其先进的Trench技术,该MOSFET 提供卓越的开关特性和热性能,广泛应用于各类电子电路设计中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
详细参数说明

- **型号**: NCE30P15SA-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单P通道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: -13.5A
- **最大功耗 (Ptot)**: 适合高功率应用
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域与模块

NCE30P15SA-VB 在多个领域和模块中展现出卓越的性能,主要应用包括:

1. **电源管理系统**: NCE30P15SA-VB 非常适合用于DC-DC转换器和开关电源,能够在电力转换过程中实现高效能,降低能耗,广泛应用于消费电子、工业设备和通信设备中。

2. **电动汽车(EV)**: 在电动汽车的电池管理系统中,该MOSFET 可作为关键的开关元件,优化电池充放电过程,确保电池组的安全和效率。

3. **LED驱动电路**: 由于其低导通电阻和高电流承载能力,NCE30P15SA-VB 可用于LED照明的驱动电路,提供稳定的电流,确保LED的亮度均匀和使用寿命延长。

4. **电机控制**: 该MOSFET 在电机控制应用中也表现出色,可以用于无刷电机驱动和其他电机控制系统,实现精确的电流控制和调速功能。

5. **高频开关电路**: NCE30P15SA-VB 的快速开关特性使其适合高频开关应用,能够在各类高频电路中确保稳定运行,提高系统的整体性能。

通过其卓越的性能,NCE30P15SA-VB 成为中低电压和高电流应用中的理想选择,满足多种电源管理和驱动需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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