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NCE30H10-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:NCE30H10-VB MOSFET

NCE30H10-VB是一款高性能单N通道MOSFET,采用TO220封装,专为高电流应用设计,最大漏极源电压(VDS)为30V。该器件的栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,适合于快速开关操作。NCE30H10-VB的导通电阻(RDS(ON))在@VGS=4.5V时为4mΩ,在@VGS=10V时为3mΩ,这使其在高负载条件下具备极低的功耗和高效率,最大漏极电流(ID)达到120A,充分满足现代电子设备对高性能和高可靠性的需求。基于Trench技术的设计,NCE30H10-VB在开关频率较高的应用中表现出色,非常适合用于电源管理和电动机驱动等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**:NCE30H10-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单N通道
- **最大漏极源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V:4mΩ
- @VGS = 10V:3mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:120A
- **技术**:Trench

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领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高效DC-DC转换器**:
NCE30H10-VB广泛应用于高效的DC-DC转换器中,作为开关元件,通过其低导通电阻来实现高效率的电压转换,减少功耗并提高系统的整体性能。

2. **电动汽车与混合动力汽车**:
在电动汽车及混合动力汽车的电源管理系统中,NCE30H10-VB可用于电池管理和电动机控制,支持高电流需求,确保车辆在各种工况下的高效运行。

3. **电源适配器**:
该MOSFET适合用于电源适配器中,作为主要开关元件以控制输出电流。在高负载条件下,其快速开关特性和低导通电阻能够有效提高适配器的能效。

4. **工业电机控制**:
NCE30H10-VB在工业设备中的电机控制系统中发挥重要作用,可以提供精确的电流控制和保护,使电机在启动和运行过程中保持稳定。

5. **消费电子产品**:
在消费电子领域,NCE30H10-VB被广泛用于手机、平板电脑等便携式设备的充电管理和电源分配,帮助实现高效能和小型化设计。

通过其卓越的性能和广泛的适用性,NCE30H10-VB成为现代电源管理和开关控制应用的理想选择,满足了各类设备对高效率和高可靠性的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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