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NCE12P09S-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:NCE12P09S-VB MOSFET

NCE12P09S-VB 是一款高性能单P通道MOSFET,采用 SOP8 封装,适用于需要高效率和低功耗的负电压开关应用。其漏极源电压(VDS)为 -20V,支持最高 ±20V 的栅源电压(VGS),并具有 -0.6V 的低阈值电压(Vth),确保在低电压控制信号下可靠导通。该器件的导通电阻(RDS(ON))在 VGS = 2.5V 时为 21mΩ,在 VGS = 4.5V 时降至 15mΩ,提供良好的开关性能和低导通损耗。同时,其漏极电流(ID)支持高达 -13A,采用 Trench 技术,使其在消费电子和电池管理等领域表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A 21mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -20V -0.6V -13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
详细参数说明:

- **型号**:NCE12P09S-VB
- **封装**:SOP8
- **配置**:单P通道
- **最大漏极源电压(VDS)**:-20V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-0.6V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 2.5V:21mΩ
- @VGS = 4.5V:15mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:-13A
- **技术**:Trench

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领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电池管理系统(BMS)**:
NCE12P09S-VB 适用于锂电池组的保护电路,能够在低压状态下进行精准控制,防止过放电和反向电流损害,提高系统可靠性。

2. **消费电子设备**:
该MOSFET常用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备中的电源管理模块,有助于延长电池寿命并提高功耗管理效率。

3. **DC-DC转换器和稳压模块**:
在便携式设备的电源转换模块中作为P通道开关MOSFET使用,实现高效能量传递,并减少系统的静态损耗。

4. **负载开关**:
NCE12P09S-VB 在智能家居设备和LED照明控制系统中作为负载开关使用,可在高效导通和断开之间快速切换。

5. **反极性保护**:
该MOSFET常用于需要反接保护的电路中,确保设备在电源反接时免受损坏,是充电器和电池供电设备的理想选择。

NCE12P09S-VB 的低导通电阻、高电流能力和出色的可靠性,使其在现代电子设备和模块中广泛应用,特别是在便携式电源系统和消费电子领域表现突出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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