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NCE01P03S-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:NCE01P03S-VB MOSFET

NCE01P03S-VB 是一款高性能的单P通道MOSFET,采用SOP8封装设计,专为负电压应用而设计。其最大漏极源电压(VDS)为-100V,适合各种需要高负电压的电路。该MOSFET的栅源电压(VGS)范围为±20V,具有良好的驱动灵活性。NCE01P03S-VB的阈值电压(Vth)为-2V,导通电阻(RDS(ON)为200mΩ@VGS=4.5V和160mΩ@VGS=10V)较低,这使其在高达-2.5A的漏极电流(ID)下保持良好的热性能和能效。基于Trench技术的设计,NCE01P03S-VB不仅提供了高效能,还确保在各种操作条件下的稳定性和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -100V -2V -2.5A 160mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -100V -2V -2.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -100V -2V -2.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
详细参数说明:

- **型号**:NCE01P03S-VB
- **封装**:SOP8
- **配置**:单P通道
- **最大漏极源电压(VDS)**:-100V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V:200mΩ
- @VGS = 10V:160mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:-2.5A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

NCE01P03S-VB MOSFET广泛应用于多个领域和模块,具体包括:

1. **电源管理**:
- 在高效的负电源转换器中用作开关元件,适合负电压电源的设计,提高系统的电能转换效率。

2. **LED驱动**:
- 在LED照明驱动电路中提供稳定的电流输出,能够实现负电源供电,确保LED光源的亮度和一致性。

3. **反向保护电路**:
- 用于反向极性保护电路中,能够有效防止设备在接错电源时的损坏,确保系统的安全性和可靠性。

4. **消费电子产品**:
- 在各种便携式电子设备中作为负电源开关,提供电源管理解决方案,确保高效的电源控制和节能。

5. **电动工具**:
- 在电动工具的电机控制中使用,能够在负电压环境下提供高效的功率转换和稳定的电流输出,增强工具的性能。

通过这些应用,NCE01P03S-VB MOSFET在现代电子设备中发挥着重要作用,满足高效能、可靠性及小型化设计的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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