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NCE01H14D-VB 产品详细

产品简介:

NCE01H14D-VB 产品简介

NCE01H14D-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装设计,专为高电压和高电流应用优化。其最大漏源电压(VDS)可达 100V,支持高达 ±20V 的栅源电压(VGS),确保其在多种电气环境中具有良好的适应性。该器件的阈值电压(Vth)为 3V,使其能够在低电压条件下有效开启,提高响应速度和整体效率。

NCE01H14D-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时仅为 3mΩ,表明在开关状态下的功率损耗极低,尤其适合需要高电流(ID 为 180A)应用的场合。其采用的 Trench 技术使得器件具备优异的开关速度和热性能,能够有效管理高功率负载。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
NCE01H14D-VB 详细参数说明

| 参数 | 值 |
|------------------|----------------------|
| **型号** | NCE01H14D-VB |
| **封装** | TO220 |
| **配置** | 单 N 通道 |
| **VDS** | 100V |
| **VGS** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 3mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏电流 (ID)** | 180A |
| **技术** | Trench |

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理系统**:NCE01H14D-VB 在高效能的 DC-DC 转换器和开关电源设计中应用广泛,其低导通电阻和高电流能力有助于提升系统效率,降低能量损耗,确保电源的稳定性。

2. **电动汽车**:在电动汽车的电池管理系统和驱动控制模块中,NCE01H14D-VB 可用于高效的电流控制,支持大电流的充电和放电,优化电池的使用效率,增强电动汽车的续航能力。

3. **工业电机驱动**:该 MOSFET 可在工业设备中用于电机控制,特别适合用于无刷直流电机(BLDC)的驱动电路,其强大的电流承载能力和低热损耗特性能够提升电机的工作效率和响应速度。

4. **高功率 LED 驱动**:在高功率 LED 照明应用中,NCE01H14D-VB 可用于电流调节和开关控制,确保 LED 的稳定亮度并延长其使用寿命,适合用于大功率照明系统。

5. **消费电子**:在智能家居设备、音响系统和其他消费电子产品中,NCE01H14D-VB 能够提供高效能的电源适配器和充电解决方案,满足现代设备对高功率和高效率的需求。

综上所述,NCE01H14D-VB 是一款极具性能优势的 MOSFET,广泛应用于各类高电压和高电流需求的现代电子产品,能够有效满足严苛的工作环境和高效能的设计要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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