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NCE0160G-VB 产品详细

产品简介:

NCE0160G-VB 产品简介

NCE0160G-VB 是一款高性能的单极 N 型 MOSFET,采用 DFN8 (5x6 mm) 封装,设计用于高电压和高电流应用。该器件的最大漏极源极电压 (VDS) 为 100V,能够在高压环境下稳定运行,适合多种电源管理和电机控制系统。NCE0160G-VB 的阈值电压 (Vth) 为 2.5V,支持逻辑电平驱动,适合广泛的控制信号。此外,器件的导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 12.36mΩ @ VGS=4.5V 和 9mΩ @ VGS=10V,确保在导通时有极低的功耗,从而提升整体系统效率。采用 Trench 技术制造的 NCE0160G-VB 具备优越的开关性能,广泛应用于高效能设计中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明

| 参数 | 值 |
|------------------------|---------------------------|
| **型号** | NCE0160G-VB |
| **封装** | DFN8 (5x6 mm) |
| **配置** | 单极 N 型 |
| **最大漏极源极电压 (VDS)** | 100V |
| **最大栅极源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 2.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 12.36mΩ @ VGS=4.5V |
| | 9mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 65A |
| **技术** | Trench |

领域和模块应用:

适用领域和模块

NCE0160G-VB 由于其卓越的性能,广泛适用于多个领域和模块,包括:

1. **开关电源**:在开关电源和 DC-DC 转换器中,NCE0160G-VB 的低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源管理的理想选择,能够显著降低能量损耗。

2. **电动机驱动**:在电机控制应用中,该 MOSFET 可用作高电流开关,适用于工业自动化、电动车辆和家用电器,提供精确的电流控制与高效能运行。

3. **LED 照明驱动**:NCE0160G-VB 的高电流处理能力和小巧封装使其适合用于 LED 照明控制,支持高效的照明解决方案,满足节能的要求。

4. **电源管理 IC**:在各种电源管理集成电路中,NCE0160G-VB 可以用作开关元件,确保电源转换的高效性和可靠性。

5. **便携式电子设备**:由于其紧凑的封装和低功耗特性,NCE0160G-VB 也广泛应用于手机、平板电脑等便携式设备中,助力实现高效能的设计。

通过这些领域的应用,NCE0160G-VB 能够为不同的电子产品提供卓越的性能和可靠性,推动高效能设计的发展。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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