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NCE0157-VB 产品详细

产品简介:

NCE0157-VB 产品简介

NCE0157-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装,设计用于高电压和高电流应用。其最大漏极-源极电压(VDS)为 100V,能够有效应对各种电气环境。NCE0157-VB 的阈值电压(Vth)为 2.5V,确保在较低的栅极电压下也能实现良好的开关性能。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 4.5V 时为 20mΩ,在 VGS 为 10V 时降至 9mΩ,使其在处理高达 100A 的漏极电流(ID)时表现出色。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有卓越的能效和热管理性能,广泛应用于电源管理、驱动电路和其他高功率应用领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**:NCE0157-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:100A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

NCE0157-VB MOSFET 由于其优异的性能,适合用于多个领域和模块,例如:

1. **开关电源(SMPS)**:NCE0157-VB 可以作为高效能开关元件,在开关电源中提供优异的能量转换效率,适用于计算机电源、工业电源和消费电子等应用。

2. **直流-直流转换器**:在各类 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 能够高效地进行电压调整,尤其是在太阳能逆变器和电动汽车的电源管理系统中。

3. **电机控制**:在电动机驱动和控制系统中,NCE0157-VB 能够提供高达 100A 的电流,实现电机的高效驱动,适用于电动工具和工业自动化设备。

4. **LED 驱动电源**:该 MOSFET 在高功率 LED 照明系统中表现出色,能够确保稳定的电流供应,提高照明效率并延长使用寿命。

5. **消费电子产品**:在智能手机、平板电脑等电子设备中,NCE0157-VB 可以用作电源管理模块,提高系统的整体性能和能效。

通过这些应用,NCE0157-VB MOSFET 显示出其在现代电子产品设计中的重要性,满足高性能、高效率和高可靠性的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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