N7804-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：N7804-VB MOSFET

N7804-VB 是一款高性能的半桥N+N通道MOSFET，采用DFN8(3x3)封装，具有较低的导通电阻和高电流承载能力。其设计基于先进的Trench技术，能够在多种应用中提供优异的效率和可靠性。该MOSFET的最大漏极源电压（VDS）为30V，适用于要求电压和功率密度较高的应用场合。N7804-VB的VGS（栅源电压）范围为±20V，确保了在各种工作条件下的稳定性和安全性。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)-C	Half-Bridge-N+N	30V		1.7V	28A			16/40mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)-C	Half-Bridge-N+N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)-C	Half-Bridge-N+N	30V		1.7V	28A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)-C	Half-Bridge-N+N	30V		1.7V	28A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)-C	Half-Bridge-N+N

详细参数说明：

- **型号**：N7804-VB
- **封装**：DFN8(3x3)-C
- **配置**：半桥N+N通道
- **最大漏极源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- @VGS = 4.5V：22mΩ（N1通道），45mΩ（N2通道）
- @VGS = 10V：16mΩ（N1通道），40mΩ（N2通道）
- **最大漏极电流（ID）**：28A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块示例

N7804-VB MOSFET广泛应用于以下领域和模块中：

1. **电源管理**：
- 在DC-DC转换器中用作开关元件，提高能效和降低热损失，适用于便携式设备和电池供电系统。

2. **电动汽车**：
- 用于电池管理系统（BMS）和电动机驱动，帮助提高电动汽车的整体性能和续航能力。

3. **家电**：
- 在变频器和电机控制中应用，提升家电的能效，减少待机功耗。

4. **工业自动化**：
- 在电机驱动和伺服系统中使用，能够提供稳定的功率输出，支持高效的工业生产。

5. **消费电子**：
- 在智能手机、平板电脑及其他移动设备中作为电源开关，优化电池使用效率，延长设备的使用时间。

通过这些应用，N7804-VB MOSFET能够满足现代电子设备对高效能、高可靠性及小型化的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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