产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
|
3.9mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
| **参数** | **值** | **说明** |
|-----------------------|--------------------------|--------------------------------------------------|
| **封装** | DFN8 (3x3mm) | 紧凑型封装，适合高密度电路设计 |
| **配置** | 单N沟道 | 适用于开关控制、功率放大和低侧驱动 |
| **V\(_{DS}\)** | 30V | 最大漏源电压，适合中等电压应用 |
| **V\(_{GS}\)** | ±20V | 栅极耐压，确保设备在不同输入电压条件下的稳定性 |
| **阈值电压 (V\(_{th}\))** | 1.7V | MOSFET 的开启电压，保证在低电压驱动时也能开通 |
| **R\(_{DS(ON)}\)** | 5mΩ @ V\(_{GS}\) = 4.5V | 较低导通电阻，降低电能损耗 |
| | 3.9mΩ @ V\(_{GS}\) = 10V| 在高栅压下进一步降低电阻，提高效率 |
| **最大漏极电流 (I\(_{D}\))** | 60A | 支持高电流应用，如电机和电源驱动 |
| **技术** | Trench 沟槽型 | 提供更高的功率密度和低损耗性能 |
---
## 三、N7788-VB
领域和模块应用：
举例
1. **电源管理模块**
N7788-VB 常用于 **DC-DC 转换器** 和 **开关电源**，在笔记本电脑、智能家居设备和电源适配器中发挥重要作用，提供高效率和低发热特性。
2. **电机驱动与控制**
该器件适合 **无刷直流电机（BLDC）** 和步进电机的驱动电路，具备高电流承载能力和快速开关响应，使其在电机控制中表现优异。
3. **消费电子产品**
N7788-VB 在智能手机、平板电脑等消费类电子产品中的 **负载开关** 应用中表现出色，为设备提供高效的电源切换和管理。
4. **电池管理系统 (BMS)**
由于其低导通电阻和高电流处理能力，该 MOSFET 在 **锂电池保护电路** 和 **电池充电管理模块** 中被广泛使用，确保安全和高效的电池管理。
5. **汽车电子设备**
在汽车电气系统（如 **电动助力转向系统 (EPS)** 和 **车载信息娱乐系统**）中，N7788-VB 的高性能使其能够在恶劣环境中稳定工作，适合要求高的车载应用。
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N7788-VB MOSFET 凭借其优异的导通性能和开关特性，适用于广泛的电源管理、驱动控制和消费电子应用，成为高效电路设计的重要选择。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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