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N7430-VB 产品详细

产品简介:

N7430-VB 产品简介

N7430-VB 是一款高效的单极 N 通道 MOSFET,采用 DFN8 (3x3) 封装,专为低电压和高电流应用而设计。其漏源电压 (VDS) 可达 30V,栅极驱动电压 (VGS) 范围为 ±20V,门阈电压 (Vth) 为 1.7V。N7430-VB 在栅压为 4.5V 和 10V 时,导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 19mΩ 和 13mΩ,这使得该器件在工作时能显著减少功耗,提升能效。最大漏电流 (ID) 为 30A,使得 N7430-VB 特别适合用于要求高效率和高负载的电源管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A 13mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
N7430-VB 详细参数说明

- **型号**: N7430-VB
- **封装**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **门阈电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench

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领域和模块应用:

应用领域与模块示例

N7430-VB MOSFET 的高性能特性使其广泛应用于多个领域,尤其是在需要快速切换和高电流传输的应用中。以下是一些具体的应用示例:

1. **电源管理与 DC-DC 转换器**
- N7430-VB 常用于电源转换器中,通过其低导通电阻提供高效的电能转换,降低系统能耗,提升整体性能。

2. **电动汽车**
- 在电动汽车的电池管理系统中,N7430-VB 可以作为电源开关,确保电池的高效充放电,提高电动汽车的续航能力和安全性。

3. **消费电子设备**
- 该 MOSFET 广泛应用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品的电源管理中,帮助延长设备的使用时间并优化能效。

4. **工业自动化**
- 在工业自动化设备中,N7430-VB 可以用于驱动电机和控制负载,提供快速的电流切换,以满足工业应用中的高效能和可靠性要求。

5. **LED 驱动电路**
- N7430-VB 也被用于 LED 驱动应用中,能够为 LED 提供稳定的电源,确保亮度一致且能效高,适用于照明和显示系统。

综上所述,N7430-VB MOSFET 的设计和性能使其在现代电子设备中发挥着重要作用,尤其是在追求高效率和可靠性的应用场景中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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