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N7416-VB 产品详细

产品简介:

一、N7416-VB 产品简介
N7416-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8 (3x3 mm) 紧凑封装设计,专为高电流和高效率的应用而优化。该器件具有 30V 的漏源电压(V\(_{DS}\))和最高 60A 的漏极电流能力,适合高功率应用中的快速开关操作。N7416-VB 采用先进的 Trench 技术,有效降低了导通电阻(R\(_{DS(ON)}\)),在 4.5V 和 10V 的栅源电压下分别达到 5mΩ 和 3.9mΩ。这使其在各种电源管理和电机控制系统中具备优越的性能,提供可靠的开关解决方案。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A 3.9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
二、详细参数说明

| **参数** | **描述** |
|----------------------|---------------------------------|
| **封装 (Package)** | DFN8 (3x3 mm) |
| **配置** | 单 N 沟道 (Single-N) |
| **漏源电压 V\(_{DS}\)** | 30V |
| **栅源电压 V\(_{GS}\)** | ±20V |
| **开启电压 V\(_{th}\)** | 1.7V |
| **R\(_{DS(ON)}\)** @ V\(_{GS}\)=4.5V | 5mΩ |
| **R\(_{DS(ON)}\)** @ V\(_{GS}\)=10V | 3.9mΩ |
| **最大漏极电流 I\(_D\)** | 60A |
| **技术** | Trench |
| **工作温度范围** | -55°C 至 150°C |
| **封装特点** | 紧凑设计,支持高电流和高频开关 |

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领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例

1. **电源管理系统**
- N7416-VB 可广泛应用于高效能 DC-DC 转换器中,作为功率开关以优化能量传输效率,减少功耗。
- 在电源适配器和充电器中,能够提供快速充电能力,确保设备在高负载情况下稳定运行。

2. **电机驱动控制**
- 该 MOSFET 非常适合用于电动机驱动器,以确保高效的电机控制和快速响应,提升电动工具和家用电器的性能。
- 在工业自动化应用中,用于电机控制模块,支持高电流需求的场合,如机器人和自动化设备。

3. **消费电子产品**
- 在智能手机和笔记本电脑的电源管理模块中,N7416-VB 可实现低功耗和高效率的充电和供电功能。
- 适用于智能家居设备的电源管理,提供可靠的功率供应,提升设备的整体效率。

4. **车载电子系统**
- N7416-VB 可应用于电动汽车的电源管理系统,控制电池充放电过程,优化电力使用,确保安全性和高效性。
- 在车载娱乐系统和导航模块中,作为高效能开关组件,提供稳定电源,支持多种功能。

N7416-VB 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和紧凑的封装设计,成为各类电源管理和驱动应用中不可或缺的重要组件,广泛应用于现代电子产品中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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