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N7412-VB 产品详细

产品简介:

N7412-VB 产品简介

N7412-VB 是一款高性能单极 N 通道 MOSFET,采用 DFN8 (3x3) 封装,专为低电压、高电流的应用场合设计。该器件支持高达 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅极驱动电压 (VGS),具有较低的导通电阻 (RDS(ON)),在 4.5V 和 10V 的栅压下分别为 19mΩ 和 13mΩ。这使得 N7412-VB 在工作时能够有效降低功耗和发热,提供更高的工作效率和可靠性。其流过的最大电流可达 30A,适合多种电子设备的电源管理和开关应用,尤其在需要快速切换和高负载的环境中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A 13mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
N7412-VB 详细参数说明

- **型号**: N7412-VB
- **封装**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **门阈电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench

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领域和模块应用:

应用领域与模块示例

N7412-VB MOSFET 的出色性能使其适用于多个领域,特别是在高效电源管理和控制应用中。以下是一些典型的应用示例:

1. **电源转换与管理**
- N7412-VB 经常用于 DC-DC 转换器和开关电源中,以其低导通电阻和高电流能力确保能量高效转换,降低系统整体功耗。

2. **电动汽车**
- 在电动汽车的电池管理系统中,N7412-VB 可用作电源开关,支持电池的高效充放电,提升电池使用寿命和安全性。

3. **消费电子产品**
- 该 MOSFET 适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子设备的电源开关,帮助提高设备的续航能力并优化性能。

4. **工业自动化**
- 在自动化设备和工业控制系统中,N7412-VB 可用于驱动电机和控制负载,提供快速响应和高可靠性的电流开关。

5. **LED 驱动电路**
- N7412-VB 在 LED 驱动应用中能提供稳定的电源管理,确保亮度一致且能效高,适用于照明和显示设备。

通过这些应用实例,N7412-VB MOSFET 显示出其在现代电子产品中的关键角色,尤其在对效率和可靠性要求较高的应用场景中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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