产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
|
127mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
二、MTP4N08-VB 参数详解
| **参数** | **说明** | **数值** |
|-------------------------|--------------------------------------------|--------------------|
| **封装类型** | TO-220 | - |
| **极性** | 单 N 沟道 | - |
| **V_DS** | 漏极-源极电压 | 100V |
| **V_GS** | 栅极-源极电压范围 | ±20V |
| **V_th** | 栅极开启阈值电压 | 1.8V |
| **R_DS(ON)** | 导通电阻 (V_GS = 10V 时) | 127mΩ |
| **I_D** | 最大漏极电流 | 18A |
| **功率耗散** (P_D) | 最大功率耗散能力（25°C时） | 62.5W（典型值） |
| **工作温度范围** | 允许的结温范围 | -55°C ~ 150°C |
| **技术** | 采用 Trench 沟槽型技术，增强电流承载能力 | - |
| **封装引脚** | 3 引脚，适合焊接或散热片安装 | - |
领域和模块应用：
三、MTP4N08-VB 的应用领域及模块举例
1. **开关电源**
MTP4N08-VB 广泛应用于开关电源（SMPS）中，作为主开关元件以实现高效的能量转换。它特别适合各种消费电子设备和电源适配器，能有效管理输入和输出电流。
2. **电机驱动**
该 MOSFET 可以用于电机驱动电路中，适用于电动工具、家用电器和自动化设备中的小型电机驱动，提供稳定的高电流输出。
3. **照明控制系统**
MTP4N08-VB 适用于 LED 照明控制系统，能高效驱动 LED 阵列，确保输出电流稳定，提升照明效果，适合商用和家用照明应用。
4. **逆变器和光伏应用**
在太阳能逆变器和光伏系统中，该 MOSFET 可用于能量转换，帮助提高太阳能发电效率，支持高电压的转换需求。
5. **音频放大器**
MTP4N08-VB 在音频放大器电路中可用作开关控制器，帮助提供更高的增益和信号完整性，适合高保真音响系统和专业音响设备。
总结而言，MTP4N08-VB 以其良好的电流和电压特性，适用于电源管理、驱动电路以及各类高效能电子应用，能够满足现代电子设备在效率和性能方面的需求。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
立即下载
中文
English
返回上级页面
