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MTP45N05E-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**MTP45N05E-VB** 是一款采用 TO220 封装的单 N 通道 MOSFET。它采用了先进的 Trench 技术,提供优异的电流处理能力和较低的导通电阻,使其成为高效率电源管理和开关应用的理想选择。该 MOSFET 的额定漏极源极电压为 60V,最大栅源电压为 ±20V,适用于各种中等功率的电子设备。MTP45N05E-VB 的导通电阻在 VGS = 4.5V 时为 28mΩ,VGS = 10V 时为 24mΩ,能够支持高达 50A 的漏极电流。这些特性使其广泛应用于电源转换、马达驱动和其他需要高效开关的场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A 24mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**:MTP45N05E-VB
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单 N 通道
- **漏极源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V:28mΩ
- @ VGS = 10V:24mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**:50A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

MTP45N05E-VB MOSFET 的特性使其在多个领域和模块中得以应用,包括但不限于:

1. **电源管理**:该 MOSFET 常用于开关电源(SMPS),用于电源转换和电压调节,提高系统效率,降低功耗。

2. **电动机控制**:在电动机驱动器中,它可以用于控制直流电动机的速度和方向,适用于工业自动化和电动工具等应用。

3. **LED 驱动**:由于其低导通电阻,MTP45N05E-VB 适合用于 LED 照明驱动器,能够提供高效稳定的电流。

4. **汽车电子**:在汽车应用中,它可以用于电源分配和控制模块,提升车辆电子系统的可靠性和效率。

5. **消费电子产品**:如电视、音响等消费电子设备中,MTP45N05E-VB 可用于电源管理和信号调理,以确保高性能运行。

这些应用展示了 MTP45N05E-VB MOSFET 的广泛适用性和在现代电子设计中的重要性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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