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MTP20N20E-VB 产品详细

产品简介:

MTP20N20E-VB 产品简介

MTP20N20E-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET,采用TO-220封装,具备200V的漏极到源极电压(VDS)和30A的最大漏极电流(ID)。其阈值电压(Vth)为3V,确保在低电压下即可快速导通。该器件采用创新的Trench技术,具有出色的导通电阻(RDS(ON)为110mΩ,@VGS=10V),在高功率应用中表现出色。MTP20N20E-VB在高效电源转换、马达驱动和其他电力管理应用中具有广泛的应用潜力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
MTP20N20E-VB 详细参数说明

- **型号**: MTP20N20E-VB
- **封装**: TO-220
- **配置**: 单N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 200V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 110mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域与模块示例

MTP20N20E-VB MOSFET适用于多个领域和模块,包括:

1. **电源管理**:在开关电源(SMPS)中,MTP20N20E-VB可作为主开关器件,提供高效的电能转换和稳压能力,从而提高整体能效。

2. **电动机驱动**:在电动机控制系统中,该MOSFET可用作高侧或低侧开关,适用于直流电动机、步进电动机和无刷直流电动机(BLDC),提供高电流和低导通损耗。

3. **逆变器应用**:在太阳能逆变器或其他逆变器电路中,MTP20N20E-VB可用于高压直流转交流(AC)转换,确保高效率和可靠性。

4. **电池管理系统(BMS)**:在电池充电和放电过程中,该MOSFET可用于高效的开关管理,以提高电池使用寿命和安全性。

5. **消费电子产品**:适用于高功率的消费电子设备,如电源适配器和移动设备充电器,提供高效的电源转换和热管理能力。

通过在这些领域中的应用,MTP20N20E-VB MOSFET展现出其卓越的性能和广泛的适用性,能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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