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MT75N80-VB 产品详细

产品简介:

一、MT75N80-VB 产品简介

MT75N80-VB 是一款 **单 N 沟道 MOSFET**,采用 **TO220** 封装,专为高电流和中电压应用设计。其具有 **80V 的漏源电压(VDS)**,在多种电子电路中表现出良好的性能。该器件的最大漏极电流(ID)可达 **100A**,使其在高功率应用中表现出色。使用 **Trench 技术**,MT75N80-VB 提供了低导通电阻,**9mΩ(在 VGS = 4.5V 时)** 和 **7mΩ(在 VGS = 10V 时)**,确保在大电流操作时能够有效控制功耗。该器件的 **±20V 的栅极电压(VGS)**设计,使得在各种驱动条件下,具备良好的灵活性和适应性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、MT75N80-VB 详细参数说明

| **参数** | **值** | **描述** |
|-------------------|-----------------------------|---------------------------------------|
| **封装类型** | TO220 | 大功率封装,适合散热要求较高的应用 |
| **配置** | Single N-Channel | 单 N 沟道设计,适合多种开关应用 |
| **VDS** | 80V | 最大漏源电压,支持中电压应用 |
| **VGS(绝对值)** | ±20V | 最大栅极电压耐受范围,确保稳定工作 |
| **Vth** | 3V | 栅极开启电压,确保器件低功耗启动 |
| **RDS(ON)** | 9mΩ @ VGS=4.5V;7mΩ @ VGS=10V | 导通电阻,适合大电流应用 |
| **ID** | 100A | 最大漏极电流,适合高功率应用 |
| **技术** | Trench | 沟道技术,适合高效率和低功耗应用 |

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领域和模块应用:

三、应用领域与模块示例

1. **电源管理系统**
MT75N80-VB 在 **电源管理系统** 中广泛应用,特别是在开关电源和DC-DC转换器中作为高效开关元件。由于其高电流能力和低导通电阻,该器件能够显著提高系统效率,降低能耗,适用于高功率输出需求的电源模块。

2. **电机驱动**
在 **电机驱动应用** 中,MT75N80-VB 适用于无刷直流电机、步进电机和其他高功率电机的控制。其高电流承载能力使其能够在启动和运行过程中提供稳定的驱动性能,满足电机在不同工作状态下的需求。

3. **汽车电子**
MT75N80-VB 在 **汽车电子** 中扮演重要角色,适用于电源转换器和电动驱动系统。其优良的电气特性能够有效满足汽车应用中的高压和高功率要求,确保系统的可靠性和安全性。

4. **照明控制**
该器件可用于 **LED照明和高功率灯具** 的驱动控制,提供有效的开关控制和能量管理。其低导通电阻确保在高电流操作下,能够有效控制热量并提高系统效率。

5. **工业自动化**
在 **工业自动化设备** 中,MT75N80-VB 可用于开关和控制电路,特别是在电源转换和电机控制模块中。其高电压和高电流特性使其适合用于要求苛刻的工业环境,提升设备的稳定性和性能。

通过其卓越的电气性能,MT75N80-VB 成为高电流和中电压应用的理想选择,广泛应用于各类电子设备和系统中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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