MIP75N03HDL-VB - VBsemi MOS管制造商

MIP75N03HDL-VB 产品详细

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产品简介：

MIP75N03HDL-VB 是一款高效能的 Single-N-Channel MOSFET，采用 TO220 封装设计，专为高电流和高效率的应用而开发。该 MOSFET 的最大漏源电压 (VDS) 为 30V，最大栅源电压 (VGS) 为 ±20V，其阈值电压 (Vth) 为 1.7V。在 VGS = 4.5V 时，其导通电阻 (RDS(ON)) 仅为 4mΩ，而在 VGS = 10V 时，RDS(ON) 降至 3mΩ，具有卓越的电流承载能力，可支持最高 120A 的漏极电流 (ID)。MIP75N03HDL-VB 使用 Trench 技术，能够显著降低开关损耗和热量产生，广泛应用于各种高效能电源管理和驱动电路中。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A			3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

型号: MIP75N03HDL-VB
封装: TO220
配置: Single-N-Channel
漏源电压 (VDS): 30V
栅源电压 (VGS): ±20V
阈值电压 (Vth): 1.7V
导通电阻 (RDS(ON)):
4mΩ @ VGS = 4.5V
3mΩ @ VGS = 10V
最大漏极电流 (ID): 120A
技术: Trench

领域和模块应用：

电源管理系统 (Power Management Systems)
MIP75N03HDL-VB 在高效能 DC-DC 转换器中被广泛应用，能够提供稳定的电压输出，并且降低功率损耗。这种特性使其成为现代电子设备中不可或缺的元件，特别是在计算机、服务器和通信设备的电源管理模块中。

电机驱动和控制应用
该 MOSFET 能够承载高达 120A 的电流，使其在电动机驱动和控制电路中表现出色，适用于工业自动化、机器人和电动工具等领域。

负载开关与智能电源
MIP75N03HDL-VB 可以用作高效的负载开关，广泛应用于智能家居和商业自动化设备中，能够快速切换电源以优化能耗。

电池管理系统
在电池管理系统中，MIP75N03HDL-VB 可以用于电池充电和放电过程中的高效开关，确保稳定的电流传输，提高系统的可靠性和安全性。

消费电子与LED驱动
该器件也适合应用于消费电子产品，如电视、音响系统以及 LED 驱动电路中，能够高效地控制电流，提高设备性能并延长使用寿命。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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