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MI8818-VB 产品详细

产品简介:

MI8818-VB 产品简介

MI8818-VB 是一款高性能的双 N 通道 MOSFET,采用 **DFN8(3x3)-B** 封装,专为现代电子设备中的高效率开关应用设计。该产品基于 **Trench** 技术,具有极低的导通电阻和优异的热性能,适用于各种电源管理、负载开关和驱动电路。MI8818-VB 能够在高电流和高频率条件下工作,能够有效提高系统的能效,减少功耗,是移动设备、汽车电子和工业自动化等领域的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N+N 30V 1.7V 26A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N+N 30V 1.7V 26A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N+N 30V 1.7V 26A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3)-B Dual-N+N
详细参数说明

- **型号**: MI8818-VB
- **封装**: DFN8 (3x3 mm)
- **配置**: Dual N+N Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 26A
- **技术**: Trench
- **特性**:
- 超低导通电阻,减少能量损耗
- 快速开关速度,适合高频应用
- 可靠的热性能,确保设备长期稳定工作

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领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **电源管理系统**
MI8818-VB 被广泛应用于 DC-DC 转换器中,能够高效地管理输入和输出电压,为便携式电子设备和电源适配器提供稳定可靠的电源解决方案,确保设备在高负载情况下的性能。

2. **电池管理系统**
在电池充放电管理中,该 MOSFET 可以高效地控制电池的充电和放电过程,提升电池使用效率,确保电池组的安全,广泛适用于电动汽车和可再生能源存储系统。

3. **电机驱动**
MI8818-VB 适用于小型电机驱动应用,如家用电器、风扇和水泵等。其快速响应和高电流处理能力能够有效地控制电机启停和速度调节,提高系统的控制精度。

4. **LED 驱动器**
该器件非常适合用于 LED 照明和背光应用,能够提供高效的电流控制,确保 LED 模块的亮度均匀和稳定,提升用户体验并降低能耗。

5. **工业自动化**
MI8818-VB 在工业控制系统中表现优异,能够承担高电流负载,快速响应控制信号,适用于自动化设备和机器人系统,确保设备的高效和可靠运行。

通过这些多样化的应用,MI8818-VB 展现出其在高效能电源管理、负载控制和高频开关中的重要性,是现代电子设备中不可或缺的关键组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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