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MI8619-VB 产品详细

产品简介:

MI8619-VB 产品简介

MI8619-VB 是一款高性能的单 P 通道 MOSFET,采用紧凑型 **DFN8(3x3)** 封装设计,具备低导通电阻和高电流处理能力。凭借其 **Trench(沟槽型)** 技术,该器件适用于高效的负载开关、电源管理和电池保护应用,能够在低压条件下稳定工作。MI8619-VB 是便携式设备、消费电子和工业控制系统的理想选择,支持高电流负载并具有快速开关能力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-P
详细参数说明

- **型号**: MI8619-VB
- **封装**: DFN8 (3x3 mm)
- **配置**: Single P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -45A
- **技术**: Trench
- **特性**:
- 快速开关速度
- 低导通损耗,适合高效电路
- 支持高达 -45A 的电流

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领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **电池管理系统 (BMS)**
MI8619-VB 非常适合用于锂电池保护模块,可控制充放电路径,防止电池过充或过放,提高电池组的寿命和安全性。

2. **电源管理和负载开关**
在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等设备中,该 MOSFET 可用于高效电源开关,确保电流的平稳切换和系统待机模式下的低功耗。

3. **DC-DC 转换器和稳压器**
MI8619-VB 在低压直流电源转换器中表现优越,适合用于工业电源模块和嵌入式系统的电压稳压器中,帮助实现更高的电源效率。

4. **马达驱动和控制模块**
该 MOSFET 可用于驱动小型电机,如风扇或泵的控制系统中,有效管理电机的启动和停止,保证系统的稳定性。

5. **消费类电子产品**
MI8619-VB 的紧凑封装和高性能特性,使其在智能家居设备和可穿戴电子设备中得以广泛应用,例如智能手表、蓝牙音箱等模块。

通过这些应用,MI8619-VB 展现出其在电池管理、负载控制和低功耗系统中的关键作用,是一款高效可靠的 P 通道 MOSFET,能够满足多种现代电子设备的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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