产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
-30V |
|
-2.5V |
-45A |
|
|
11mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
-30V |
|
-2.5V |
-45A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
-30V |
|
-2.5V |
-45A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
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详细参数说明
- **型号**: MI8619-VB
- **封装**: DFN8 (3x3 mm)
- **配置**: Single P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -45A
- **技术**: Trench
- **特性**:
- 快速开关速度
- 低导通损耗,适合高效电路
- 支持高达 -45A 的电流
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领域和模块应用:
适用领域和模块示例
1. **电池管理系统 (BMS)**
MI8619-VB 非常适合用于锂电池保护模块,可控制充放电路径,防止电池过充或过放,提高电池组的寿命和安全性。
2. **电源管理和负载开关**
在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等设备中,该 MOSFET 可用于高效电源开关,确保电流的平稳切换和系统待机模式下的低功耗。
3. **DC-DC 转换器和稳压器**
MI8619-VB 在低压直流电源转换器中表现优越,适合用于工业电源模块和嵌入式系统的电压稳压器中,帮助实现更高的电源效率。
4. **马达驱动和控制模块**
该 MOSFET 可用于驱动小型电机,如风扇或泵的控制系统中,有效管理电机的启动和停止,保证系统的稳定性。
5. **消费类电子产品**
MI8619-VB 的紧凑封装和高性能特性,使其在智能家居设备和可穿戴电子设备中得以广泛应用,例如智能手表、蓝牙音箱等模块。
通过这些应用,MI8619-VB 展现出其在电池管理、负载控制和低功耗系统中的关键作用,是一款高效可靠的 P 通道 MOSFET,能够满足多种现代电子设备的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性