产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
58A |
5.5mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
58A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
58A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
详细参数说明
| 参数 | 描述 |
|---------------------|------------------------------------|
| **型号** | MI8402-VB |
| **封装** | DFN8 (3x3) |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏源电压 (VDS)** | 20V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±12V |
| **阈值电压 (Vth)** | 0.5V ~ 1.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 5.5mΩ（@VGS=2.5V） |
| | 5.5mΩ（@VGS=4.5V） |
| **最大漏电流 (ID)** | 58A |
| **技术** | Trench技术 |
领域和模块应用：
适用领域和模块示例
MI8402-VB MOSFET在多个领域和模块中具有广泛的应用，以下是一些具体示例：
1. **电源管理模块**：
- 在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，MI8402-VB可作为主开关元件，其低导通电阻和高电流处理能力能够提高系统效率，降低热损耗，确保电源稳定运行。
2. **电机驱动**：
- 在电动机控制电路中，MI8402-VB可以用于H桥电路，提供高效的电流开关，以实现平稳的电机控制和快速响应。
3. **电池管理系统**：
- MI8402-VB适合用于电池充电和放电管理的应用中，其高电流承载能力能够有效控制充电过程，延长电池使用寿命。
4. **LED驱动电路**：
- 在LED照明控制中，MI8402-VB可用于高效的LED驱动电路，以实现更高的能效和更好的光输出。
5. **便携式电子设备**：
- 由于其小型化的DFN封装和高效性能，该MOSFET特别适合应用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块，能够在有限空间内实现高性能电源转换。
通过上述应用，MI8402-VB展现出其在现代电子设备中的重要性，能够有效提高系统的整体性能和可靠性。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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