推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

MI5807-VB 产品详细

产品简介:

MI5807-VB 产品简介

MI5807-VB 是一款高性能的双通道 MOSFET,采用 DFN8(5X6)-B 封装,专为需要高效电源管理和高密度设计的应用而设计。它的配置为双P通道,具有较低的导通电阻和宽广的栅源电压范围,使其在负载要求苛刻的情况下依然表现优异。MI5807-VB 的典型工作电压为 -30V,能承受高达 30A 的电流,非常适合用于电源开关、负载驱动以及其他高效能电路中。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6)-B Dual-P+P -30V -1.7V -30A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6)-B Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6)-B Dual-P+P -30V -1.7V -30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6)-B Dual-P+P -30V -1.7V -30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6)-B Dual-P+P
详细参数说明

| 参数 | 规格 |
|------------------|---------------------|
| **型号** | MI5807-VB |
| **封装** | DFN8(5X6)-B |
| **配置** | 双P通道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | -30V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | -1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 21mΩ @ VGS=4.5V |
| | 19mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏电流 (ID)** | -30A |
| **技术** | Trench |

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理系统**:
MI5807-VB 可用于电源转换器中的开关电路,提供高效的电能转换和稳压功能。由于其低导通电阻和较大的电流承载能力,能够有效降低功耗并提升系统整体效率。

2. **电池供电设备**:
在移动设备和电池管理系统中,MI5807-VB 作为电源切换开关,能够实现高效的电池充放电控制,延长设备的使用寿命。

3. **电动机驱动**:
在电动机控制应用中,MI5807-VB 可用作H桥电路中的开关元件,以控制电机的正反转和调速,从而提高系统的响应速度和控制精度。

4. **LED驱动电路**:
该MOSFET 可用于高亮度LED驱动电路,实现高效的电源开关和亮度调节,适用于照明和显示应用。

5. **汽车电子**:
MI5807-VB 可用于汽车电气系统中的电源开关和负载驱动,如电动窗、电动座椅及其它电动控制模块,确保可靠性和安全性。

通过以上介绍,MI5807-VB 显示出其在多个领域的广泛应用潜力,适合需要高效能和高集成度的现代电子产品设计。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询