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MI5406-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 – MI5406-VB

MI5406-VB是一款高效的单N通道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装,专为高电流和低电压应用而设计。该器件具有最大漏源电压(VDS)为**30V**,并支持高达±20V的栅源电压(VGS)。其开启电压(Vth)为**1.7V**,确保在较低栅电压下快速导通。在栅电压为**4.5V**和**10V**时,其导通电阻(RDS(ON))分别为**9mΩ**和**7mΩ**,表现出极低的导通损耗,适合高效能电源管理和负载控制应用。MI5406-VB采用先进的Trench(沟槽)技术,提供更快的开关速度和更低的能耗,是电源转换和高频开关应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明 – MI5406-VB

| **参数** | **描述** |
|---------------------|-------------------------------|
| **封装** | DFN8(5x6) |
| **通道配置** | 单N通道 |
| **漏源电压 (VDS)** | 30V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **开启电压 (Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 9mΩ @ VGS=4.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 7mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 80A |
| **技术** | Trench(沟槽技术) |

领域和模块应用:

适用领域与模块应用

1. **电源管理系统**
- **DC-DC转换器**:MI5406-VB可用于高效的DC-DC转换器,优化电能转换,提高输出稳定性和效率。
- **负载开关**:在电源管理应用中,MI5406-VB作为负载开关,可以快速控制电源的开启和关闭,降低系统损耗。

2. **消费电子产品**
- **智能设备**:适用于智能手机、平板电脑等消费电子产品的电源管理,提高电池使用效率和设备性能。
- **家用电器**:在家电中用作电源开关和调节,提升能效和用户体验。

3. **工业自动化**
- **电机驱动**:MI5406-VB可用于电机驱动电路,控制电机的启动和停止,保证高效的操作。
- **电源供应**:在各种工业控制设备中,MI5406-VB可以作为电源供应的开关元件,确保设备可靠运行。

通过其优异的性能和多样的应用领域,MI5406-VB成为了高效能电源管理与负载控制的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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