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MI5405-VB 产品详细

产品简介:

MI5405-VB 产品简介

MI5405-VB 是一款高性能单 P-Channel MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封装,设计用于要求高效率和紧凑布局的应用。该器件的漏极至源极电压(VDS)为 -30V,最大栅源电压(VGS)为 ±20V,具有较低的阈值电压(Vth)为 -2.5V。凭借其先进的 Trench 技术,MI5405-VB 提供了卓越的导通电阻性能,分别为 12mΩ 和 7.8mΩ,在不同的栅源电压下支持高达 -60A 的漏电流。这使得 MI5405-VB 非常适合用于电源管理、开关控制及其他需要高效能的电子电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -2.5V -60A 7.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -2.5V -60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -2.5V -60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-P
详细参数说明

- **型号**: MI5405-VB
- **封装**: DFN8(5X6)
- **配置**: Single-P-Channel
- **漏极至源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 7.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: -60A
- **技术**: Trench

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领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理**
MI5405-VB 在开关电源和 DC-DC 转换器中非常有效。它的高电流承载能力和低导通电阻有助于提升电源效率,适合在电源模块中作为高效开关器件。

2. **电池管理系统 (BMS)**
在电池管理应用中,MI5405-VB 可用于电池的充放电控制。由于其优异的导通性能和耐压能力,它特别适合于电动车和可再生能源系统的电池管理。

3. **负载开关**
MI5405-VB 可用于各种负载开关电路,提供可靠的开关功能,适合家用电器和工业设备。其出色的功耗性能使其成为高效的选择。

4. **LED 驱动电路**
该 MOSFET 可用于 LED 驱动电路,支持稳定的电流输出,适合用于商业照明、汽车灯光和其他照明应用,以实现更高的能效和更长的使用寿命。

5. **消费电子产品**
在各种消费电子产品中,MI5405-VB 能够有效控制电源开关,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备,确保设备高效能并延长电池寿命。

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综上所述,MI5405-VB 单 P-Channel MOSFET 以其高效能和多用途的特性,广泛应用于电源管理、负载开关和 LED 驱动等多个领域,为各种电子设备提供了稳定且高效的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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