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ME50N10T-VB 产品详细

产品简介:

一、ME50N10T-VB 产品简介
ME50N10T-VB 是一款 **高性能 N-沟道 MOSFET**,采用 **TO220 封装**,适合需要高电流容量和可靠性的应用。其 **漏源电压 (VDS)** 高达 **100V**,**漏极电流 (ID)** 可达 **70A**,并且通过 **Trench 技术**降低了导通电阻 (RDS(ON)) 至 **17mΩ @ VGS=10V**。这款 MOSFET 在高功率开关、直流电机驱动、电源管理等领域表现优异,能够满足现代电子系统的高效和可靠运行需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 70A 17mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 70A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 70A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、ME50N10T-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **通道配置**:单通道 N-沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 17mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:70A
- **技术**:Trench 技术
- **典型应用频率**:适用于中高频开关电路
- **封装特性**:TO220 封装提供良好的散热性和高功率处理能力

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领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

1. **直流电机驱动 (DC Motor Driver)**
ME50N10T-VB 适合用于家电或工业设备中的直流电机驱动模块。其高电流承载能力(70A)确保在高负载条件下稳定工作,适用于电动工具和机器人系统的电机控制。

2. **开关电源 (SMPS)**
在开关模式电源 (SMPS) 中,该 MOSFET 用作主开关元件,有助于提高功率转换效率,并减少开关损耗,适用于服务器电源和工业设备的电源模块。

3. **电池管理系统 (BMS)**
ME50N10T-VB 可以用于锂电池和其他电池组的充放电管理,保证电池的安全和效率,常用于电动汽车、储能系统和UPS电源。

4. **逆变器与太阳能控制器**
在太阳能逆变器和MPPT控制器中,该 MOSFET 可以实现高效的能量转换,并承受系统中的高电压和大电流,是绿色能源系统中的重要组件。

5. **汽车电子**
ME50N10T-VB 常用于汽车电子中的电子负载管理模块和灯光控制模块,确保汽车系统的高效运行,并满足其对高电流开关的需求。

6. **大功率 LED 驱动**
在大功率 LED 驱动电路中,ME50N10T-VB 可以作为控制开关,提高亮度调节的精度,并有效降低能耗,适合舞台灯光和户外照明系统。

这款 MOSFET 在高效能、高电流和高可靠性的应用场景中表现出色,凭借其优异的导通电阻和封装散热性能,成为工业、汽车、能源和消费电子设备中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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