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MDP1932TH-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:MDP1932TH-VB MOSFET

MDP1932TH-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为高电流和高效率应用设计。其最大漏源电压(VDS)为80V,栅源电压(VGS)为±20V,开启电压为3V。这款MOSFET具有极低的导通电阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V时为3.6mΩ,在VGS=10V时为3mΩ,支持最大漏极电流195A,适合用于各种高功率开关应用,特别是在电源管理和电动机驱动领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**:80V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **开启电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V时:3.6mΩ
- VGS = 10V时:3mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:195A
- **技术类型**:Trench结构
- **耗散功率(Pd)**:100W
- **工作温度范围**:-55°C至150°C
- **引脚配置**:3引脚

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:

1. **电源管理**:
MDP1932TH-VB非常适合用于高效的电源管理模块,特别是在DC-DC转换器中。其低导通电阻和高电流承载能力可以有效减少能量损耗,提高整体电源转换效率,适用于高性能计算、服务器电源和电池管理系统。

2. **电动机驱动**:
该MOSFET可广泛应用于电动机驱动电路,如工业电机、机器人和电动车辆驱动系统。由于其高电流承载能力,能够在瞬时负载变化时提供稳定的电流,确保电动机的快速响应和高效运行。

3. **开关电源(SMPS)**:
MDP1932TH-VB可用于高效开关电源设计,特别是在需要处理大功率的应用中。它的低导通电阻使得在高压和高频开关操作时能量损耗降到最低,提升了开关电源的整体效率。

4. **LED驱动电源**:
在LED驱动应用中,该MOSFET可以用于高亮度LED的恒流驱动。其高电流承载能力和高效能特性确保LED系统的稳定性和长寿命,适合用于商业照明和户外照明设备。

5. **无线电频率放大器**:
MDP1932TH-VB在无线电频率(RF)放大器中也有广泛应用。其良好的开关特性和高电流能力使其能够高效驱动射频负载,适合用于通信设备和信号放大器。

通过以上应用示例,MDP1932TH-VB MOSFET显示出其在多种高功率和高效能领域中的广泛适用性,是电子设计中一个重要的高效开关元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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